安阳高新区国家级示范生产力促进中心
Anyang High-tech Zone National Demonstration Productivity Promotion Center
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| 专利类别 :发明专利 | 专利号 ： 2013103486765 | 申请日期 ： 2013-08-12 |
| 公开日期 ：2014-01-29 | 专利名称 ： 用于测定汞离子的LSPR传感膜及其制备方法 | 专利权人 ：匿名 |
| 国际分类号： 暂无 | 范畴分类号 ： 暂无 | 行业分类 ： 暂无 |
| 详情介绍: 本发明公开了一种用于测定汞离子的LSPR传感膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a) 采用电化学法直接在ITO导电玻璃表面沉积金银合金纳米粒子，得到金属纳米膜；其中，金与银的摩尔比为1：1~3；(b) 将上述金属纳米膜浸入聚乙烯吡咯烷酮水溶液中，形成聚乙烯吡咯烷酮保护膜；清洗晾干后，即可得到LSPR传感膜。本发明将传感单元和反应试剂合二为一，实现了无试剂传感，试片制备简单，使用方便，灵敏度高，选择性好，既可用分光光度计进行定量测定，又可采用目测法定性或半定量测定Hg(II)。 |
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