安阳高新区国家级示范生产力促进中心
Anyang High-tech Zone National Demonstration Productivity Promotion Center
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| 专利类别 :发明专利 | 专利号 ： 2014101364397 | 申请日期 ： 2014-04-08 |
| 公开日期 ：2014-07-02 | 专利名称 ： 微电子芯片用低介电常数薄膜层的制造工艺 | 专利权人 ：匿名 |
| 国际分类号： 暂无 | 范畴分类号 ： 暂无 | 行业分类 ： 暂无 |
| 详情介绍: 本发明公开一种低介电常数薄膜层的制备方法，当炉体内真空度小于10-3Pa时，启动射频电源和匹配器；开启第二质量流量计后，通入用于排净炉体内残存气体的排气氮气；将八甲基环四硅氧烷、环己烷混合均匀并注入所述耐压不锈钢釜内，关闭手动挡板阀，将鼓泡氮气、惰性气体分别从第一进气管、第二进气管注入并依次经过第一耐压混气罐、耐压不锈钢釜、第一喷嘴送入炉体内，从而将八甲基环四硅氧烷、环己烷带入炉体内，八甲基环四硅氧烷、环己烷、鼓泡氮气和惰性气体在等离子条件下在基底表面沉积一薄膜层。本发明实现了便捷精确调控薄膜介电常数值并获得了低介电常数值的薄膜层，此薄膜层化学成分更均匀，具有较好的热稳定性、硬度，提高了薄膜的平整度。 |
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