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多相低介电常数材料层的制造方法

发布时间:2022-03-22
  • 专利类型:发明专利
  • 日期 :2022-03-22
  • 专利名称:多相低介电常数材料层的制造方法
  • 专利权人 : 匿名
  • 联系电话 :0372-2110568

交易价格(万元):面谈

专利详情

专利类别 :发明专利 专利号 : 2014102527495 申请日期 : 2014-06-09
公开日期 :2014-08-20 专利名称 : 多相低介电常数材料层的制造方法 专利权人 :匿名
国际分类号: 暂无 范畴分类号 : 暂无 行业分类 : 暂无
详情介绍:

本发明公开一种多相低介电常数材料层的制造方法,包括以下步骤:在真空条件下先于硅基底上以电子束蒸镀方式蒸镀一层80nm厚的铝薄膜;再蒸镀一层5nm厚的镍薄膜形成具有金属薄膜的硅片;通过等离子体增强化学气相沉积方法在金属薄膜的硅片上沉积一层碳纳米管层形成碳纳米管层基材层;将八甲基环四硅氧烷、环己烷混合均匀并注入耐压不锈钢釜内,将八甲基环四硅氧烷、环己烷带入炉体内,八甲基环四硅氧烷、环己烷、鼓泡气体在等离子条件下在基底表面沉积一薄膜层。本发明使得薄膜的成型强度较高,性能均一,克服了一般材料机械强度差,局部容易塌陷,各区域性能迥异的缺点。

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